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Trabalho de evento-resumo
OPTICAL AND ELECTRICAL CHARACTERIZATION OF TITANIUM OXIDE THIN FILMS (2020)
Mendonça, Bianca Jardim; Chubaci, José Fernando Diniz; Matsuoka, Masao; Silva, Antonio Ferreira da; Zambom, Luís da Silva ; Mansano, Ronaldo Domingues
Nome do evento: Encontro de Outono da Sociedade Brasileira de Física. Unidades: IF, EP
Assunto: FILMES FINOS
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ABNT
MENDONÇA, Bianca Jardim et al. OPTICAL AND ELECTRICAL CHARACTERIZATION OF TITANIUM OXIDE THIN FILMS. 2020, Anais.. São Paulo: SBF-Sociedade Brasileira de Física, 2020. Disponível em: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2020/sys/resumos/R0291-1.pdf. Acesso em: 04 maio 2024.
APA
Mendonça, B. J., Chubaci, J. F. D., Matsuoka, M., Silva, A. F. da, Zambom, L. da S., & Mansano, R. D. (2020). OPTICAL AND ELECTRICAL CHARACTERIZATION OF TITANIUM OXIDE THIN FILMS. In . São Paulo: SBF-Sociedade Brasileira de Física. Recuperado de https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2020/sys/resumos/R0291-1.pdf
NLM
Mendonça BJ, Chubaci JFD, Matsuoka M, Silva AF da, Zambom L da S, Mansano RD. OPTICAL AND ELECTRICAL CHARACTERIZATION OF TITANIUM OXIDE THIN FILMS [Internet]. 2020 ;[citado 2024 maio 04 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2020/sys/resumos/R0291-1.pdf
Vancouver
Mendonça BJ, Chubaci JFD, Matsuoka M, Silva AF da, Zambom L da S, Mansano RD. OPTICAL AND ELECTRICAL CHARACTERIZATION OF TITANIUM OXIDE THIN FILMS [Internet]. 2020 ;[citado 2024 maio 04 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2020/sys/resumos/R0291-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Caracterização de filmes finos de nitreto de boro cúbico preparados por deposição assistida por feixe de íons (2016)
Castilho, William de ; Matsuoka, Masao
Fonte: Resumos. Nome do evento: Simpósio Internacional de Iniciação Científica e Tecnológica da USP (SIICUSP). Unidade: IF
Assuntos: FÍSICA NUCLEAR, FILMES FINOS
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ABNT
CASTILHO, William de e MATSUOKA, Masao. Caracterização de filmes finos de nitreto de boro cúbico preparados por deposição assistida por feixe de íons. 2016, Anais.. São Paulo: USP/Pró-Reitoria de Pesquisa, 2016. Disponível em: https://uspdigital.usp.br/siicusp/siicPublicacao.jsp?codmnu=7210. Acesso em: 04 maio 2024.
APA
Castilho, W. de, & Matsuoka, M. (2016). Caracterização de filmes finos de nitreto de boro cúbico preparados por deposição assistida por feixe de íons. In Resumos. São Paulo: USP/Pró-Reitoria de Pesquisa. Recuperado de https://uspdigital.usp.br/siicusp/siicPublicacao.jsp?codmnu=7210
NLM
Castilho W de, Matsuoka M. Caracterização de filmes finos de nitreto de boro cúbico preparados por deposição assistida por feixe de íons [Internet]. Resumos. 2016 ;[citado 2024 maio 04 ] Available from: https://uspdigital.usp.br/siicusp/siicPublicacao.jsp?codmnu=7210
Vancouver
Castilho W de, Matsuoka M. Caracterização de filmes finos de nitreto de boro cúbico preparados por deposição assistida por feixe de íons [Internet]. Resumos. 2016 ;[citado 2024 maio 04 ] Available from: https://uspdigital.usp.br/siicusp/siicPublicacao.jsp?codmnu=7210
Trabalho de evento-resumo
Produção de filmes finos de óxidos para aplicação em eletrônica (2016)
Souza, Felipe Abdalla Tiradentes de; Matsuoka, Masao; Chubaci, Jose Fernando Diniz
Fonte: Resumos. Nome do evento: Simpósio Internacional de Iniciação Científica e Tecnológica da USP (SIICUSP). Unidade: IF
Assuntos: ELETRÔNICA, FILMES FINOS
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ABNT
SOUZA, Felipe Abdalla Tiradentes de e MATSUOKA, Masao e CHUBACI, Jose Fernando Diniz. Produção de filmes finos de óxidos para aplicação em eletrônica. 2016, Anais.. São Paulo: USP/Pró-Reitoria de Pesquisa, 2016. Disponível em: https://uspdigital.usp.br/siicusp/siicPublicacao.jsp?codmnu=7210. Acesso em: 04 maio 2024.
APA
Souza, F. A. T. de, Matsuoka, M., & Chubaci, J. F. D. (2016). Produção de filmes finos de óxidos para aplicação em eletrônica. In Resumos. São Paulo: USP/Pró-Reitoria de Pesquisa. Recuperado de https://uspdigital.usp.br/siicusp/siicPublicacao.jsp?codmnu=7210
NLM
Souza FAT de, Matsuoka M, Chubaci JFD. Produção de filmes finos de óxidos para aplicação em eletrônica [Internet]. Resumos. 2016 ;[citado 2024 maio 04 ] Available from: https://uspdigital.usp.br/siicusp/siicPublicacao.jsp?codmnu=7210
Vancouver
Souza FAT de, Matsuoka M, Chubaci JFD. Produção de filmes finos de óxidos para aplicação em eletrônica [Internet]. Resumos. 2016 ;[citado 2024 maio 04 ] Available from: https://uspdigital.usp.br/siicusp/siicPublicacao.jsp?codmnu=7210
Trabalho de evento-resumo
The end of Moore’s Law: alumina thin films produced by ion beam assisted deposition as gate oxide (2016)
Santos, Thales Borrely dos ; Matsuoka, Masao; Chubaci, Jose Fernando Diniz; Mendonça, Bianca Jardim
Fonte: Posters - Resumos. Nome do evento: Encontro de Física. Unidade: IF
Assuntos: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, FILMES FINOS
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ABNT
SANTOS, Thales Borrely dos et al. The end of Moore’s Law: alumina thin films produced by ion beam assisted deposition as gate oxide. 2016, Anais.. São Paulo: SBF, 2016. Disponível em: http://www1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2016/sys/resumos/R2116-1.pdf. Acesso em: 04 maio 2024.
APA
Santos, T. B. dos, Matsuoka, M., Chubaci, J. F. D., & Mendonça, B. J. (2016). The end of Moore’s Law: alumina thin films produced by ion beam assisted deposition as gate oxide. In Posters - Resumos. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2016/sys/resumos/R2116-1.pdf
NLM
Santos TB dos, Matsuoka M, Chubaci JFD, Mendonça BJ. The end of Moore’s Law: alumina thin films produced by ion beam assisted deposition as gate oxide [Internet]. Posters - Resumos. 2016 ;[citado 2024 maio 04 ] Available from: http://www1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2016/sys/resumos/R2116-1.pdf
Vancouver
Santos TB dos, Matsuoka M, Chubaci JFD, Mendonça BJ. The end of Moore’s Law: alumina thin films produced by ion beam assisted deposition as gate oxide [Internet]. Posters - Resumos. 2016 ;[citado 2024 maio 04 ] Available from: http://www1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2016/sys/resumos/R2116-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Study and characterization of thin films of CeOx produced by ion beam assited deposition (2016)
Mendonça, Bianca Jardim; Chubaci, Jose Fernando Diniz; Matsuoka, Masao; Borrely, Thales
Fonte: Posters - Resumos. Nome do evento: Encontro de Física. Unidade: IF
Assuntos: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, FILMES FINOS
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ABNT
MENDONÇA, Bianca Jardim et al. Study and characterization of thin films of CeOx produced by ion beam assited deposition. 2016, Anais.. São Paulo: SBF, 2016. Disponível em: http://www1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2016/sys/resumos/R2117-1.pdf. Acesso em: 04 maio 2024.
APA
Mendonça, B. J., Chubaci, J. F. D., Matsuoka, M., & Borrely, T. (2016). Study and characterization of thin films of CeOx produced by ion beam assited deposition. In Posters - Resumos. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2016/sys/resumos/R2117-1.pdf
NLM
Mendonça BJ, Chubaci JFD, Matsuoka M, Borrely T. Study and characterization of thin films of CeOx produced by ion beam assited deposition [Internet]. Posters - Resumos. 2016 ;[citado 2024 maio 04 ] Available from: http://www1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2016/sys/resumos/R2117-1.pdf
Vancouver
Mendonça BJ, Chubaci JFD, Matsuoka M, Borrely T. Study and characterization of thin films of CeOx produced by ion beam assited deposition [Internet]. Posters - Resumos. 2016 ;[citado 2024 maio 04 ] Available from: http://www1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2016/sys/resumos/R2117-1.pdf
Artigo de periodico
Bulk properties of InN films determined by experiments and theory (2014)
Kumar, M.; Baldissera, G.; Persson, C.; David, D. G. F.; Silva, M. V. S. da; Ferreira da Silva, A.; Freitas, J. A., Jr.; Tischler, J. G.; Chubaci, José Fernando Diniz ; Matsuoka, Masao
Fonte: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. Unidade: IF
Assunto: FOTOLUMINESCÊNCIA
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ABNT
KUMAR, M. et al. Bulk properties of InN films determined by experiments and theory. JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, v. 403, p. 124-127, 2014Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2014.06.001. Acesso em: 04 maio 2024.
APA
Kumar, M., Baldissera, G., Persson, C., David, D. G. F., Silva, M. V. S. da, Ferreira da Silva, A., et al. (2014). Bulk properties of InN films determined by experiments and theory. JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 403, 124-127. doi:10.1016/j.jcrysgro.2014.06.001
NLM
Kumar M, Baldissera G, Persson C, David DGF, Silva MVS da, Ferreira da Silva A, Freitas JA, Tischler JG, Chubaci JFD, Matsuoka M. Bulk properties of InN films determined by experiments and theory [Internet]. JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. 2014 ; 403 124-127.[citado 2024 maio 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2014.06.001
Vancouver
Kumar M, Baldissera G, Persson C, David DGF, Silva MVS da, Ferreira da Silva A, Freitas JA, Tischler JG, Chubaci JFD, Matsuoka M. Bulk properties of InN films determined by experiments and theory [Internet]. JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. 2014 ; 403 124-127.[citado 2024 maio 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2014.06.001
Trabalho de evento-resumo
Formação de filmes finos de óxidos metálicos pela técnica IBAD (Ions Beam Assisted for Deposition) (2014)
Costa, Harliton Jonas; David, Denis G. F.; Silva, Antônio Ferreira da; Freitas Jr., Jaime A.; Chubaci, José Fernando Diniz; Matsuoka, Masao
Fonte: SBF. Nome do evento: Encontro de Físicos do Norte e Nordeste. Unidade: IF
Assuntos: MICROELETRÔNICA, FILMES FINOS
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ABNT
COSTA, Harliton Jonas et al. Formação de filmes finos de óxidos metálicos pela técnica IBAD (Ions Beam Assisted for Deposition). 2014, Anais.. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 2014. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/efnne/xxxii/sys/resumos/R0430-1.pdf. Acesso em: 04 maio 2024.
APA
Costa, H. J., David, D. G. F., Silva, A. F. da, Freitas Jr., J. A., Chubaci, J. F. D., & Matsuoka, M. (2014). Formação de filmes finos de óxidos metálicos pela técnica IBAD (Ions Beam Assisted for Deposition). In SBF. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/efnne/xxxii/sys/resumos/R0430-1.pdf
NLM
Costa HJ, David DGF, Silva AF da, Freitas Jr. JA, Chubaci JFD, Matsuoka M. Formação de filmes finos de óxidos metálicos pela técnica IBAD (Ions Beam Assisted for Deposition) [Internet]. SBF. 2014 ;[citado 2024 maio 04 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/efnne/xxxii/sys/resumos/R0430-1.pdf
Vancouver
Costa HJ, David DGF, Silva AF da, Freitas Jr. JA, Chubaci JFD, Matsuoka M. Formação de filmes finos de óxidos metálicos pela técnica IBAD (Ions Beam Assisted for Deposition) [Internet]. SBF. 2014 ;[citado 2024 maio 04 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/efnne/xxxii/sys/resumos/R0430-1.pdf
Artigo de periodico
Epstein–Barr Viral Load is Associated to Response in AIDS-Related Lymphomas (2014)
Tanaka, Paula Yurie; Ohshima, Kouichi; Matsuoka, Masao; Sabino, Ester Cerdeira; Ferreira, Suzete Cleusa; Nishya, Anna Shoko; Costa, Renata de Oliveira; Calore, Edenilson Eduardo; Perez, Nilda Maria; Pereira, Juliana
Fonte: Indian Journal of Hematology and Blood Transfusion. Unidades: FM, IF
Assuntos: HIV, SÍNDROME DE IMUNODEFICIÊNCIA ADQUIRIDA, HERPESVIRUS 4 HUMANO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TANAKA, Paula Yurie et al. Epstein–Barr Viral Load is Associated to Response in AIDS-Related Lymphomas. Indian Journal of Hematology and Blood Transfusion, v. 30, n. 3, p. 191-194, 2014Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1007/s12288-014-0345-9. Acesso em: 04 maio 2024.
APA
Tanaka, P. Y., Ohshima, K., Matsuoka, M., Sabino, E. C., Ferreira, S. C., Nishya, A. S., et al. (2014). Epstein–Barr Viral Load is Associated to Response in AIDS-Related Lymphomas. Indian Journal of Hematology and Blood Transfusion, 30( 3), 191-194. doi:10.1007/s12288-014-0345-9
NLM
Tanaka PY, Ohshima K, Matsuoka M, Sabino EC, Ferreira SC, Nishya AS, Costa R de O, Calore EE, Perez NM, Pereira J. Epstein–Barr Viral Load is Associated to Response in AIDS-Related Lymphomas [Internet]. Indian Journal of Hematology and Blood Transfusion. 2014 ; 30( 3): 191-194.[citado 2024 maio 04 ] Available from: https://doi.org/10.1007/s12288-014-0345-9
Vancouver
Tanaka PY, Ohshima K, Matsuoka M, Sabino EC, Ferreira SC, Nishya AS, Costa R de O, Calore EE, Perez NM, Pereira J. Epstein–Barr Viral Load is Associated to Response in AIDS-Related Lymphomas [Internet]. Indian Journal of Hematology and Blood Transfusion. 2014 ; 30( 3): 191-194.[citado 2024 maio 04 ] Available from: https://doi.org/10.1007/s12288-014-0345-9
Trabalho de evento-resumo
Thin film oxides produced by IBAD (ion beam assisted deposition) (2013)
Costa, Harliton Jonas; Silva, Antônio Ferreira da; Silva, Marcus Vinicius Santos da; David, Denis G. F.; Freitas Jr, Jaime A.; Matsuoka, Masao; Chubaci, Jose Fernando Diniz
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
COSTA, Harliton Jonas et al. Thin film oxides produced by IBAD (ion beam assisted deposition). 2013, Anais.. Águas de Lindóia: SBF, 2013. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxvi/sys/resumos/R0529-1.pdf. Acesso em: 04 maio 2024.
APA
Costa, H. J., Silva, A. F. da, Silva, M. V. S. da, David, D. G. F., Freitas Jr, J. A., Matsuoka, M., & Chubaci, J. F. D. (2013). Thin film oxides produced by IBAD (ion beam assisted deposition). In Resumos. Águas de Lindóia: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxvi/sys/resumos/R0529-1.pdf
NLM
Costa HJ, Silva AF da, Silva MVS da, David DGF, Freitas Jr JA, Matsuoka M, Chubaci JFD. Thin film oxides produced by IBAD (ion beam assisted deposition) [Internet]. Resumos. 2013 ;[citado 2024 maio 04 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxvi/sys/resumos/R0529-1.pdf
Vancouver
Costa HJ, Silva AF da, Silva MVS da, David DGF, Freitas Jr JA, Matsuoka M, Chubaci JFD. Thin film oxides produced by IBAD (ion beam assisted deposition) [Internet]. Resumos. 2013 ;[citado 2024 maio 04 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxvi/sys/resumos/R0529-1.pdf
Artigo de periodico
Isothermal annealing of a 620 nm optical absorption band in Brazilian topaz crystals (2013)
Isotani, Sadao; Albuquerque, Antonio Roberto Pereira Leite de; Matsuoka, Masao
Fonte: PHYSICA B-CONDENSED MATTER. Unidade: IF
Assuntos: TERMOLUMINESCÊNCIA, CINÉTICA, LUMINESCÊNCIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ISOTANI, Sadao e ALBUQUERQUE, Antonio Roberto Pereira Leite de e MATSUOKA, Masao. Isothermal annealing of a 620 nm optical absorption band in Brazilian topaz crystals. PHYSICA B-CONDENSED MATTER, v. 415, p. 38-43, 2013Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.physb.2013.01.040. Acesso em: 04 maio 2024.
APA
Isotani, S., Albuquerque, A. R. P. L. de, & Matsuoka, M. (2013). Isothermal annealing of a 620 nm optical absorption band in Brazilian topaz crystals. PHYSICA B-CONDENSED MATTER, 415, 38-43. doi:10.1016/j.physb.2013.01.040
NLM
Isotani S, Albuquerque ARPL de, Matsuoka M. Isothermal annealing of a 620 nm optical absorption band in Brazilian topaz crystals [Internet]. PHYSICA B-CONDENSED MATTER. 2013 ; 415 38-43.[citado 2024 maio 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physb.2013.01.040
Vancouver
Isotani S, Albuquerque ARPL de, Matsuoka M. Isothermal annealing of a 620 nm optical absorption band in Brazilian topaz crystals [Internet]. PHYSICA B-CONDENSED MATTER. 2013 ; 415 38-43.[citado 2024 maio 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physb.2013.01.040
Trabalho de evento-resumo
Filmes finos de oxidos(HfO2, CeO2, TiO2) para dispositivos eletrônicos fabricados por IBAD (Ions Beam Assisted for Deposition) (2013)
Costa, Harliton Jonas da; David, Denis G F; Silva, Antonio Ferreira da; Chubaci, Jose Fernando Diniz; Matsuoka, Masao; Freitas Junior, Jaime A
Fonte: Resumo. Nome do evento: Encontro de Físicos do Norte e Nordeste. Unidade: IF
Assuntos: FÍSICA (CONGRESSOS), FILMES FINOS (CONGRESSOS)
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
COSTA, Harliton Jonas da et al. Filmes finos de oxidos(HfO2, CeO2, TiO2) para dispositivos eletrônicos fabricados por IBAD (Ions Beam Assisted for Deposition). 2013, Anais.. São Paulo: SBF, 2013. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/efnne/xxxi/sys/resumos/R0548-1.pdf. Acesso em: 04 maio 2024.
APA
Costa, H. J. da, David, D. G. F., Silva, A. F. da, Chubaci, J. F. D., Matsuoka, M., & Freitas Junior, J. A. (2013). Filmes finos de oxidos(HfO2, CeO2, TiO2) para dispositivos eletrônicos fabricados por IBAD (Ions Beam Assisted for Deposition). In Resumo. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/efnne/xxxi/sys/resumos/R0548-1.pdf
NLM
Costa HJ da, David DGF, Silva AF da, Chubaci JFD, Matsuoka M, Freitas Junior JA. Filmes finos de oxidos(HfO2, CeO2, TiO2) para dispositivos eletrônicos fabricados por IBAD (Ions Beam Assisted for Deposition) [Internet]. Resumo. 2013 ;[citado 2024 maio 04 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/efnne/xxxi/sys/resumos/R0548-1.pdf
Vancouver
Costa HJ da, David DGF, Silva AF da, Chubaci JFD, Matsuoka M, Freitas Junior JA. Filmes finos de oxidos(HfO2, CeO2, TiO2) para dispositivos eletrônicos fabricados por IBAD (Ions Beam Assisted for Deposition) [Internet]. Resumo. 2013 ;[citado 2024 maio 04 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/efnne/xxxi/sys/resumos/R0548-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Thermoluminescense and photoluminescence characterization of silicate glasses exposed to ionizing radiation (2012)
Souza, Pedro O. De; Rosa, Raffaela De; Guimarães, Renato S.; Chubaci, José F. D.; Gennari, Roseli F.; Matsuoka, Masao; Watanabe, Shigueo
Fonte: Resumo. Nome do evento: XXXV Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assuntos: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, FOTOLUMINESCÊNCIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SOUZA, Pedro O. De et al. Thermoluminescense and photoluminescence characterization of silicate glasses exposed to ionizing radiation. 2012, Anais.. Águas de Lindóia: SBF, 2012. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxv/sys/resumos/R0905-1.pdf. Acesso em: 04 maio 2024.
APA
Souza, P. O. D., Rosa, R. D., Guimarães, R. S., Chubaci, J. F. D., Gennari, R. F., Matsuoka, M., & Watanabe, S. (2012). Thermoluminescense and photoluminescence characterization of silicate glasses exposed to ionizing radiation. In Resumo. Águas de Lindóia: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxv/sys/resumos/R0905-1.pdf
NLM
Souza POD, Rosa RD, Guimarães RS, Chubaci JFD, Gennari RF, Matsuoka M, Watanabe S. Thermoluminescense and photoluminescence characterization of silicate glasses exposed to ionizing radiation [Internet]. Resumo. 2012 ;[citado 2024 maio 04 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxv/sys/resumos/R0905-1.pdf
Vancouver
Souza POD, Rosa RD, Guimarães RS, Chubaci JFD, Gennari RF, Matsuoka M, Watanabe S. Thermoluminescense and photoluminescence characterization of silicate glasses exposed to ionizing radiation [Internet]. Resumo. 2012 ;[citado 2024 maio 04 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxv/sys/resumos/R0905-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Production and photoluminescence characterization of silicate glasses exposed to ionizing radiation. (2011)
Souza, Pedro O de; Chubaci, José F D; Matsuoka, Masao; Watanabe, Shigueo; Guimarães, Renato S; Rosa, Raffaela de; Torres, Henrique G; Gennari, Roseli F
Fonte: Resumo. Nome do evento: Econtro de Física. Unidade: IF
Assunto: RADIAÇÃO IONIZANTE
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SOUZA, Pedro O de et al. Production and photoluminescence characterization of silicate glasses exposed to ionizing radiation. 2011, Anais.. Foz do Iguaçu: SBF, 2011. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R3278-1.pdf. Acesso em: 04 maio 2024.
APA
Souza, P. O. de, Chubaci, J. F. D., Matsuoka, M., Watanabe, S., Guimarães, R. S., Rosa, R. de, et al. (2011). Production and photoluminescence characterization of silicate glasses exposed to ionizing radiation. In Resumo. Foz do Iguaçu: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R3278-1.pdf
NLM
Souza PO de, Chubaci JFD, Matsuoka M, Watanabe S, Guimarães RS, Rosa R de, Torres HG, Gennari RF. Production and photoluminescence characterization of silicate glasses exposed to ionizing radiation. [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2024 maio 04 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R3278-1.pdf
Vancouver
Souza PO de, Chubaci JFD, Matsuoka M, Watanabe S, Guimarães RS, Rosa R de, Torres HG, Gennari RF. Production and photoluminescence characterization of silicate glasses exposed to ionizing radiation. [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2024 maio 04 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R3278-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Electrical and optical properties of aluminum oxide thin films produced by IBAD (2011)
Santos, Thales Borrely dos ; Chubaci, José F D; Matsuoka, Masao; Watanabe, Shigueo; Hattori, Yocefu; Souza, Pedro O de; Gennary, Rosely F
Fonte: Resumo. Nome do evento: Econtro de Física. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA ÓPTICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SANTOS, Thales Borrely dos et al. Electrical and optical properties of aluminum oxide thin films produced by IBAD. 2011, Anais.. Foz do Iguaçu: SBF, 2011. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R3276-1.pdf. Acesso em: 04 maio 2024.
APA
Santos, T. B. dos, Chubaci, J. F. D., Matsuoka, M., Watanabe, S., Hattori, Y., Souza, P. O. de, & Gennary, R. F. (2011). Electrical and optical properties of aluminum oxide thin films produced by IBAD. In Resumo. Foz do Iguaçu: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R3276-1.pdf
NLM
Santos TB dos, Chubaci JFD, Matsuoka M, Watanabe S, Hattori Y, Souza PO de, Gennary RF. Electrical and optical properties of aluminum oxide thin films produced by IBAD [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2024 maio 04 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R3276-1.pdf
Vancouver
Santos TB dos, Chubaci JFD, Matsuoka M, Watanabe S, Hattori Y, Souza PO de, Gennary RF. Electrical and optical properties of aluminum oxide thin films produced by IBAD [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2024 maio 04 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R3276-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Study of the properties of indium nitride thin films, prepared by IBAD (2010)
Prado, Caio A G; Sparvoli, Marina; Matsuoka, Masao; Assali, L. V. C. ; Chubaci, Jose Fernando Diniz
Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PRADO, Caio A G et al. Study of the properties of indium nitride thin films, prepared by IBAD. 2010, Anais.. São Paulo: SBF, 2010. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxiii/sys/resumos/R1248-1.pdf. Acesso em: 04 maio 2024.
APA
Prado, C. A. G., Sparvoli, M., Matsuoka, M., Assali, L. V. C., & Chubaci, J. F. D. (2010). Study of the properties of indium nitride thin films, prepared by IBAD. In . São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxiii/sys/resumos/R1248-1.pdf
NLM
Prado CAG, Sparvoli M, Matsuoka M, Assali LVC, Chubaci JFD. Study of the properties of indium nitride thin films, prepared by IBAD [Internet]. 2010 ;[citado 2024 maio 04 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxiii/sys/resumos/R1248-1.pdf
Vancouver
Prado CAG, Sparvoli M, Matsuoka M, Assali LVC, Chubaci JFD. Study of the properties of indium nitride thin films, prepared by IBAD [Internet]. 2010 ;[citado 2024 maio 04 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxiii/sys/resumos/R1248-1.pdf
Trabalho de evento-anais periodico
Ion beam assisted deposition of an organic light emitting diode electrode (2010)
Dionysio, D. Olzon; Chubaci, Jose Fernando Diniz; Matsuoka, Masao; Faria, Roberto Mendonça; Guimarães, Francisco Eduardo Gontijo
Fonte: Surface and Coatings Technology. Nome do evento: International Workshop on Plasma-Based Ion Implantation and Deposition. Unidades: IF, IFSC
Assuntos: ÍONS (ESTUDO), POLÍMEROS (MATERIAIS), EMISSÃO DA LUZ, DIODOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
DIONYSIO, D. Olzon et al. Ion beam assisted deposition of an organic light emitting diode electrode. Surface and Coatings Technology. Lausanne: Elsevier. Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.surfcoat.2010.01.014. Acesso em: 04 maio 2024. , 2010
APA
Dionysio, D. O., Chubaci, J. F. D., Matsuoka, M., Faria, R. M., & Guimarães, F. E. G. (2010). Ion beam assisted deposition of an organic light emitting diode electrode. Surface and Coatings Technology. Lausanne: Elsevier. doi:10.1016/j.surfcoat.2010.01.014
NLM
Dionysio DO, Chubaci JFD, Matsuoka M, Faria RM, Guimarães FEG. Ion beam assisted deposition of an organic light emitting diode electrode [Internet]. Surface and Coatings Technology. 2010 ; 204( 18/19): 3096-3099.[citado 2024 maio 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.surfcoat.2010.01.014
Vancouver
Dionysio DO, Chubaci JFD, Matsuoka M, Faria RM, Guimarães FEG. Ion beam assisted deposition of an organic light emitting diode electrode [Internet]. Surface and Coatings Technology. 2010 ; 204( 18/19): 3096-3099.[citado 2024 maio 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.surfcoat.2010.01.014
Trabalho de evento-anais periodico
Chemical bonding and composition of silicon nitride films prepared by inductively coupled plasma chemical vapor deposition (2010)
Matsuoka, Masao; Isotani, Sadao; Mamani, Wilmer Alexe Sucasaire; Zambom, Luís da Silva ; Ogata, Katsuhiko
Fonte: Surface & Coatings Technology. Nome do evento: International Workshop on Plasma-Based Ion Implantation and Deposition. Unidades: IF, EP
Assunto: ESPECTROSCOPIA DE RAIO X
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ABNT
MATSUOKA, Masao et al. Chemical bonding and composition of silicon nitride films prepared by inductively coupled plasma chemical vapor deposition. Surface & Coatings Technology. Amsterdam: Elsevier Science. Disponível em: http://www.sciencedirect.com/science/journal/02578972. Acesso em: 04 maio 2024. , 2010
APA
Matsuoka, M., Isotani, S., Mamani, W. A. S., Zambom, L. da S., & Ogata, K. (2010). Chemical bonding and composition of silicon nitride films prepared by inductively coupled plasma chemical vapor deposition. Surface & Coatings Technology. Amsterdam: Elsevier Science. Recuperado de http://www.sciencedirect.com/science/journal/02578972
NLM
Matsuoka M, Isotani S, Mamani WAS, Zambom L da S, Ogata K. Chemical bonding and composition of silicon nitride films prepared by inductively coupled plasma chemical vapor deposition [Internet]. Surface & Coatings Technology. 2010 ; 204 18-19.[citado 2024 maio 04 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science/journal/02578972
Vancouver
Matsuoka M, Isotani S, Mamani WAS, Zambom L da S, Ogata K. Chemical bonding and composition of silicon nitride films prepared by inductively coupled plasma chemical vapor deposition [Internet]. Surface & Coatings Technology. 2010 ; 204 18-19.[citado 2024 maio 04 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science/journal/02578972
Trabalho de evento-resumo
OLED with different metal/organic interface configuration (2010)
Dionysio, D. Olzon; Faria, Roberto Mendonça; Guimarães, Francisco Eduardo Gontijo; Chubaci, Jose Fernando Diniz; Matsuoka, Masao
Fonte: Livro de Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada - ENFMC. Unidades: IFSC, IF
Assuntos: POLÍMEROS (QUÍMICA ORGÂNICA), FILMES FINOS, METAIS, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
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ABNT
DIONYSIO, D. Olzon et al. OLED with different metal/organic interface configuration. 2010, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF, 2010. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxiii/sys/resumos/99.pdf. Acesso em: 04 maio 2024.
APA
Dionysio, D. O., Faria, R. M., Guimarães, F. E. G., Chubaci, J. F. D., & Matsuoka, M. (2010). OLED with different metal/organic interface configuration. In Livro de Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxiii/sys/resumos/99.pdf
NLM
Dionysio DO, Faria RM, Guimarães FEG, Chubaci JFD, Matsuoka M. OLED with different metal/organic interface configuration [Internet]. Livro de Resumos. 2010 ;[citado 2024 maio 04 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxiii/sys/resumos/99.pdf
Vancouver
Dionysio DO, Faria RM, Guimarães FEG, Chubaci JFD, Matsuoka M. OLED with different metal/organic interface configuration [Internet]. Livro de Resumos. 2010 ;[citado 2024 maio 04 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxiii/sys/resumos/99.pdf
Trabalho de evento-resumo
Propriedades optoeletrôncias de interfaces híbridas metal/semicondutor orgânico preparadas por deposição assistida por feixes de íons (IBAD) (2010)
Dionysio, Danilo Olzon; Faria, Roberto Mendonça; Guimarães, Francisco Eduardo Gontijo; Matsuoka, Masao; Chubaci, Jose Fernando Diniz
Fonte: Livro de Resumos. Nome do evento: Workshop da Pós-Graduação do IFSC. Unidades: IFSC, IF
Assuntos: ÓPTICA ELETRÔNICA (PROPRIEDADES), DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, FILMES FINOS (PROPRIEDADES ELÉTRICAS), POLÍMEROS (QUÍMICA ORGÂNICA)
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ABNT
DIONYSIO, Danilo Olzon et al. Propriedades optoeletrôncias de interfaces híbridas metal/semicondutor orgânico preparadas por deposição assistida por feixes de íons (IBAD). 2010, Anais.. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2010. . Acesso em: 04 maio 2024.
APA
Dionysio, D. O., Faria, R. M., Guimarães, F. E. G., Matsuoka, M., & Chubaci, J. F. D. (2010). Propriedades optoeletrôncias de interfaces híbridas metal/semicondutor orgânico preparadas por deposição assistida por feixes de íons (IBAD). In Livro de Resumos. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC.
NLM
Dionysio DO, Faria RM, Guimarães FEG, Matsuoka M, Chubaci JFD. Propriedades optoeletrôncias de interfaces híbridas metal/semicondutor orgânico preparadas por deposição assistida por feixes de íons (IBAD). Livro de Resumos. 2010 ;[citado 2024 maio 04 ]
Vancouver
Dionysio DO, Faria RM, Guimarães FEG, Matsuoka M, Chubaci JFD. Propriedades optoeletrôncias de interfaces híbridas metal/semicondutor orgânico preparadas por deposição assistida por feixes de íons (IBAD). Livro de Resumos. 2010 ;[citado 2024 maio 04 ]
Trabalho de evento-resumo
Non-abrupt metal/organic interfaces prepared by ion beam assisted deposition (IBAD) for organic devices (2009)
Souza, Danilo Olzon Dionysio de; Faria, Roberto Mendonça; Guimarães, Francisco Eduardo Gontijo; Chubaci, José Fernando Diniz; Matsuoka, Masao
Fonte: Livro de Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada - ENFMC. Unidades: IFSC, IF
Assuntos: POLÍMEROS (MATERIAIS), FILMES FINOS, ÓPTICA ELETRÔNICA (PROPRIEDADES)
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SOUZA, Danilo Olzon Dionysio de et al. Non-abrupt metal/organic interfaces prepared by ion beam assisted deposition (IBAD) for organic devices. 2009, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF, 2009. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxii/prog/xxxii_enfmc_abstracts.pdf. Acesso em: 04 maio 2024.
APA
Souza, D. O. D. de, Faria, R. M., Guimarães, F. E. G., Chubaci, J. F. D., & Matsuoka, M. (2009). Non-abrupt metal/organic interfaces prepared by ion beam assisted deposition (IBAD) for organic devices. In Livro de Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxii/prog/xxxii_enfmc_abstracts.pdf
NLM
Souza DOD de, Faria RM, Guimarães FEG, Chubaci JFD, Matsuoka M. Non-abrupt metal/organic interfaces prepared by ion beam assisted deposition (IBAD) for organic devices [Internet]. Livro de Resumos. 2009 ;[citado 2024 maio 04 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxii/prog/xxxii_enfmc_abstracts.pdf
Vancouver
Souza DOD de, Faria RM, Guimarães FEG, Chubaci JFD, Matsuoka M. Non-abrupt metal/organic interfaces prepared by ion beam assisted deposition (IBAD) for organic devices [Internet]. Livro de Resumos. 2009 ;[citado 2024 maio 04 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxii/prog/xxxii_enfmc_abstracts.pdf

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